Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 44: Poster II

HL 44.89: Poster

Donnerstag, 11. März 2004, 16:30–19:00, Poster A

Einfluss von AlN-Zwischenschichten auf die Lumineszenz von InGaN-Filmen — •Anja Brostowski, Lars Reissmann, Andre Strittmatter und Dieter Bimberg — Technische Universität Berlin, Institut für Festköerperphysik, Sekr. PN 5-2, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Bauelement-relevante Schichtdicken von Nitrid-Heterostrukturen auf Si-Substraten lassen sich bisher nur durch die Verwendung von AlN-Zwischenschichten rissfrei herstellen. Andererseits fügen solche AlN-Schichten große Diskontinuitäten in die Bandstruktur der Bauelemente ein und nichtleitende Eigenschaften besitzen. Daher sind auch negative Auswirkungen auf elektrische und optische Eigenschaften von Bauelementen denkbar. Es ergibt sich die Frage der geeigneten Platzierung dieser AlN-Schichten innerhalb einer Bauelement-Struktur, um mit einer möglichst geringen Anzahl die Rissfreiheit der Struktur zu gewährleisten. Wir haben die Abhängigkeit der Lumineszenzausbeute von InGaN-Schichten von der Dicke und der Komposition einer über einer AlN-Zwischenschicht gewachsenen AlGaN-Schicht untersucht. Bei einer Schichtdicke von 100 nm GaN bricht die Lumineszenzintensität gegenüber vergleichbaren Proben ein, die auf einem 900 nm dicken GaN/AlGaN-Puffer ohne AlN-Zwischenschicht gewachsen wurden. Dagegen erholt sich die Lumineszenzintensität der InGaN-Schicht wieder, wenn auf die AlN-Schicht eine Kombination aus 200 nm AlGaN und 70 nm GaN abgeschieden wird. Als mögliche Ursachen dieser Abhängigkeit werden piezoelektrische Effekte oder kristallographische Defekte vermutet.