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HL: Halbleiterphysik

HL 50: Quantenpunkte und -dr
ähte: Optische Eigenschaften III

HL 50.9: Vortrag

Freitag, 12. März 2004, 13:00–13:15, H14

Optische Spektroskopie an selbstorganisierten InAs–Quantenpunkten — •Stephan Lüttjohann¹, Cedrik Meier¹, Axel Lorke¹ und Dirk Reuter² — ¹Laboratorium für Festkörperphysik, Universität Duisburg–Essen, Lotharstraße 1, 47048 Duisburg — ²Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstraße 150, 44780 Bochum

Die Photolumineszenz (PL) von selbstorganisierten InAs–Quantenpunkten, eingebettet in eine Feldeffekttransistor–Struktur (MISFET), wird in Abhängigkeit der angelegten Spannung und der Anregungsleistung untersucht. Bei moderaten Anregungsleistungen (P≤ 2mW/cm²) können dabei gleichzeitig Kapazitäts–Spannungs-Spektren (CV) aufgenommen und so die Anzahl der Elektronen pro Quantenpunkt bestimmt werden. Es zeigt sich, dass mit zunehmender Anregungsleistung die CV–Spektren zu kleineren Gatespannungen verschieben. Dies lässt sich auf eine Löcherakkumulation an der GaAs/AlGaAs–Grenzfläche der MISFET–Struktur zurückführen. Die bei mittlerer Anregungsleistung auftauchende Rekombination aus p–Zuständen ist damit nicht auf Pauli–Blocking zurückzuführen, sondern hängt mit der Verschiebung der Gatespannungsskala zusammen, die durch die zunehmende Grenzflächenladung verursacht wird. Darüber hinaus kann aus der gatespannungsabhängigen PL die Energiedifferenz zwischen X²⁻– und X³⁻–Rekombination zu 2,6 meV bestimmt werden.