Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 52: SiC II
HL 52.1: Vortrag
Freitag, 12. März 2004, 12:15–12:30, H17
Wird Coimplantation von Donatoren (P, N) mit Si oder C in 4H-SiC dominiert vom Site-competition-Effekt oder der Erzeugung elektrisch neutraler Defekte? — •Frank Schmid und Gerhard Pensl — Institut für Angewandte Physik, Universität Erlangen-Nürnberg
Durch vergleichende Hall-Effekt Messungen an Phosphor (P)/Stickstoff (N) implantierten und Kohlenstoff (C) oder Silizium (Si) coimplantierten p-Typ 4H-SiC Epischichten wurde das Ausheilverhalten von P- bzw. N-Donatoren untersucht. Bei den P- und C/P-implantierten Proben konnte eine identische elektrische Aktivierung der P Atome festgestellt werden, während sich bei der Si/P-implantierten Probe die Konzentration der P-Donatoren um 40% verringerte. Damit ist gezeigt, dass das Ausheilverhalten der P-implantierten Proben durch den Site-competition-Effekt dominiert wird. Im Vergleich zur N-implantierten Probe, zeigt die C/N-implantierte Probe eine Reduktion (40%) der elektrisch aktiven N Atome, was möglicherweise auf den Site-competition-Effekt zurückgeführt werden kann. Jedoch zeigt die Si/N-implantierte Probe eindeutig eine starke Verringerung der freien Elektronenkonzentration (75%) und der Konzentration der Kompensation (20%). Als Ursache wird die Bildung von thermisch stabilen und elektrisch neutralen VSi(N)4-Defektkomplexen vorgeschlagen.