Regensburg 2004 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 52: SiC II
Friday, March 12, 2004, 12:15–13:00, H17
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12:15 | HL 52.1 | Wird Coimplantation von Donatoren (P, N) mit Si oder C in 4H-SiC dominiert vom Site-competition-Effekt oder der Erzeugung elektrisch neutraler Defekte? — •Frank Schmid und Gerhard Pensl |
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12:30 | HL 52.2 | Störbandleitung in Al-dotiertem 6H-SiC — •Michael Krieger, Kurt Semmelroth und Gerhard Pensl |
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12:45 | HL 52.3 | Low Density of Interface States in 4H-SiC MOS Capacitors Generated by Nitrogen Implantation — •Florin Ciobanu, Gerhard Pensl, Valeri Afanas’ev, and Günter Wagner |