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M: Metallphysik

M 9: Flüssige und amorphe Metalle III

M 9.6: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 17:45–18:00, H16

Atomare Struktur und Widerstand von amorphen (In₅₀Sb₅₀)_100−xAu_x — •Dirk Hauschild, Michael Lang und Peter Häußler — TU-Chemnitz, Institut für Physik, D-09107 Chemnitz

In den letzten Jahren konnte festgestellt werden, dass amorphe und flüssige Halbleiter / Halbleiterlegierungen duch ein Wechselspiel zwischen dem Elektronensystem und der sich bildenden atomaren Struktur stabilisiert werden. Man spricht dabei von einer Resonanz zwischen diesen beiden Systemen. Wir berichten in dieser Arbeit über Messungen an In50Sb50, bei dem wir durch Zulegieren von Gold den Durchmesser der Fermikugel verkleinern. Wir untersuchen durch Elektronenbeugung und durch Messung des spezifischen Widerstandes, wie sich dabei die atomare Struktur anpassen kann und welche Konsequenzen dies für den elektr. Transport hat. Die Ergebnisse werden zusammen mit anderen Halbleitersystemen (reine Elemente und Legierungen) diskutiert. Die Schichten wurden für diese Messungen in-situ bei 4K durch sequentielles Flash-verdampfen hergestellt. Sowohl direkt nach dem Aufdampfen, als auch bei verschiedenen Temperstufen wurde die Struktur untersucht und der Widerstand über den gesamten Temperaturbereich mittels Vier-Punkt-Messung bestimmt.