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MA: Magnetismus

MA 10: Exchange Bias

MA 10.4: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 11:00–11:15, H10

Modifikation der magnetischen Eigenschaften austausch-gekoppelter NiFe/FeMn Filme durch Beschuss mit Ga⁺-Ionen — •Steffen Blomeier¹, Jürgen Fassbender¹, Burkard Hillebrands¹, Damien McGrouther², Robin O’Neill², Stephen McVitie² und John N. Chapman² — ¹Fachbereich Physik und Forschungsschwerpunkt MINAS, Erwin-Schrödinger-Str. 56, Technische Universität Kaiserslautern, 67663 Kaiserslautern — ²Department of Physics and Astronomy, Kelvin Building, University of Glasgow, Glasgow G12 8QQ, Scotland, United Kingdom

Der Einfluss der Bestrahlung von 30 keV Ga⁺-Ionen auf die magnetischen Eigenschaften des polykristallinen NiFe/FeMn Austausch-Bias-Systems wurde untersucht. In diesem Zusammenhang wurde ein Modell getestet, welches die Änderung der magnetischen Eigenschaften der bestrahlten Systeme einer ioneninduzierten Änderung ihrer Struktur zuschreibt. Dieses Modell war ursprünglich für die Bestrahlung mit He⁺-Ionen entwickelt worden und macht die Erzeugung von Punktdefekten für die beobachteten Veränderungen verantwortlich. Diesbezüglich wurde auch eine Simulation durchgeführt, die den Beschuss durch He⁺- und Ga⁺-Ionen vergleicht. Es konnte gezeigt werden, dass sich das oben genannte Modell auf die Bestrahlung mit Ga⁺-Ionen übertragen lässt und durch die Ergebnisse der Simulation unterstützt wird. Überdies wurde getestet, ob sich das untersuchte System durch die Bestrahlung mit Ga⁺-Ionen magnetisch strukturieren lässt. Es konnte nachgewiesen werden, dass auf einer Skala von 10² - 10³ nm eine magnetische Strukturierung mit bestimmten Einschränkungen möglich ist.