Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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MA: Magnetismus

MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)

MA 13.121: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A

Nutzung des GMI-Effektes bei Dünnfilm-Magnetfeldsensoren — •H. Yakabchuk, C. Bethke, V. Tarasenko, H. Hammer und E. Kisker — Institut für Angewandte Physik, Heinrich-Heine Universität Düsseldorf, 40225 Düsseldorf

Extrem empfindliche Magnetfeldsensoren lassen sich auf der Basis des GMI-Effektes (GMI: Giant Magneto-Impedance) realisieren. Hierbei wird der Wechselspannungsabfall am Sensor als Funktion des angelegten externen Magnetfeldes bei gegebenem HF-Strom gemessen. Die resultierende Impedanzänderung kann bei geeignetem Sensormaterial und -aufbau mehrere hundert Prozent betragen.
Während die meisten GMI-Sensoren mit weichmagnetischen, amorphen Mikrodrähten realisiert sind, nutzen wir gesputterte, dreilagige Schichtsysteme der Anordnung FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB. Der große Vorteil gegenüber den GMI-Drähten ist die ausgeprägte Anisotropie dieser Schichtsensoren bezüglich der Richtung eines angelegten externen Magnetfeldes. Die Schichtsensoren eignen sich daher besonders gut zur Detektion magnetischer Partikel.
Wir berichten über den Einfluß des Sensoraufbaus und Präparationsbedingungen auf Größe und Phase des GMI-Effektes als Funktion der Frequenz und Amplitude des HF-Stromes, sowie des äußeren Feldes. Sich daraus ergebende Sensorkonzepte werden vorgestellt.
Gefördert vom BMBF, Förderkennzeichen 13N8128.