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MA: Magnetismus
MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)
MA 13.121: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A
Nutzung des GMI-Effektes bei Dünnfilm-Magnetfeldsensoren — •H. Yakabchuk, C. Bethke, V. Tarasenko, H. Hammer und E. Kisker — Institut für Angewandte Physik, Heinrich-Heine Universität Düsseldorf, 40225 Düsseldorf
Extrem empfindliche Magnetfeldsensoren lassen sich auf der Basis des
GMI-Effektes (GMI: Giant Magneto-Impedance) realisieren. Hierbei wird
der
Wechselspannungsabfall am Sensor als Funktion des angelegten externen
Magnetfeldes bei gegebenem HF-Strom gemessen. Die resultierende
Impedanzänderung kann bei geeignetem Sensormaterial und -aufbau
mehrere
hundert Prozent betragen.
Während die meisten GMI-Sensoren mit
weichmagnetischen, amorphen Mikrodrähten realisiert sind, nutzen wir
gesputterte, dreilagige Schichtsysteme der Anordnung
FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB. Der große Vorteil gegenüber den
GMI-Drähten
ist die ausgeprägte Anisotropie dieser Schichtsensoren bezüglich der
Richtung eines angelegten externen Magnetfeldes. Die Schichtsensoren
eignen
sich daher besonders gut zur Detektion magnetischer Partikel.
Wir
berichten über den Einfluß des Sensoraufbaus und
Präparationsbedingungen auf Größe und Phase des
GMI-Effektes als Funktion der Frequenz und Amplitude des HF-Stromes,
sowie des äußeren Feldes. Sich
daraus ergebende Sensorkonzepte werden vorgestellt.
Gefördert vom
BMBF,
Förderkennzeichen 13N8128.