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MA: Magnetismus
MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)
MA 13.24: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A
Magnetowiderstand von Co-Filmen auf nicht- und halbleitendem Silizium — •Woosik Gil und Jürgen Kötzler — Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, D- 20355 Hamburg
An dynamisch gesputterten Co-Filmen (d=20nm) wurden zunächst bei 300K Widerstandsänderungen ΔR in Feldern bis zu H = 120 kOe untersucht. Dabei wurde die H-Richtung variiert relativ zu einem in der Filmebene liegenden uniaxialen Anisotropiefeld, HF = 30 Oe, das aus Magnetisierungs- und FMR-Messungen bestimmt wurde. Während für H || HF kein signifikanter Magnetowiderstand (MW) auftrat, beobachteten wir für H ⊥ HF in der Umgebung von H ≈ HF eine durch den Drehprozeß der spontanen Magnetisierung, MS = 17 kOe hervorgerufene Änderung, |Δ R/R| ≤ 1%. Ein analoges Verhalten wurde in Feldern senkrecht zur Filmebene gefunden, allerdings erstreckten sich hier die Drehprozesse bis zu dem wesentlichen größeren Anisotropiefeld, Heff = MS - HA ≈ 10 kOe. Auf isolierendem Silizium besitzt der MW, Δ R/Δ B, das für Co bekannte negative Vorzeichen, das auf p+-dotiertem Si (1.6 · 1018cm−3) wechselt, während alle richtungsabhängigen Phänomene des MW qualitativ gleich bleiben. Aus Messungen der Temperaturabhängigkeit des Widerstandes zwischen Co und p+-Si folgte eine Schottky- Barriere, ES = 0.33(2)eV. Diese ermöglicht bei 300K einen Übergang von Co-Ladungsträgern in das p+-Si, wo Δ R/Δ B > 0 ist, während bei tiefen Temperaturen das Substrat unbeteiligt bleibt und erwartungsgemäß der normale, negative MW der Co auftritt. Wir untersuchen gegenwärtig die Frage, ob und gegebenenfalls wie der positive MW des p+-Si die Vorzeichenumkehr im richtungsabhängigen MW beeinflußt.