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MA: Magnetismus

MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)

MA 13.37: Poster

Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A

Magnetische Doppeltunnelbarrieren mit antiferromagnetisch gekoppelter Zwischenschicht — •Andreas Stabaginski, Hubert Brückl und Günter Reiss — Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstraße 25, 33615 Bielefeld

Der spinabhängige Elektronentransport wurde bei magnetischen Tunnelelementen (TMR-Elementen) mit Doppelbarriere untersucht. Zwischen den beiden Tunnelbarrieren soll ein antiferromagnetisch gekoppeltes Dreilager eingefügt werden. Hierfür wurde das Schichtsystem Si/ Cu (30nm)/ Py (1.7nm)/ MnIr (15nm)/ Co (3nm)/ Al (1.4nm) +Ox/ Py (3.5nm)/ Co (3.3nm)/ Cu (x nm)/ Co (3.5 nm)/ Al (1.4nm) +Ox/ Py (3nm)/ Ta (5nm)/ Cu (10nm)/ Ta (5nm)/ Au (30nm) mit variierter Kupferdicke x hergestellt. Es wurden die obere sowie die untere Barriere elektrisch charakterisiert, ebenso wurden Magnetisierungskurven mit MOKE aufgenommen.