Regensburg 2004 – scientific programme
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MA: Magnetismus
MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)
MA 13.48: Poster
Tuesday, March 9, 2004, 15:00–19:00, Bereich A
Zeitabhängige Veränderung des Austauschverschiebungsfeldes von Bilayern nach Beschuss mit keV He-Ionen — •D. Backes1, D. Junk1, A. Ehlers1, D. Engel1, H. Schmoranzer1, A. Ehresmann1, A. Paetzold2 und K. Röll2 — 1Technische Universität Kaiserslautern, Fachbereich Physik, Erwin-Schrödinger-Str., D-67663 Kaiserslautern — 2Universität Kassel, Fachbereich Physik, Heinrich-Plett-Str.40, D-34132 Kassel
Austauschverschobene (Exchange Bias) Schichtsysteme basierend z.B. NiO und FeMn als Antiferromagnet wurden nach ihrer Herstellung mit 10 keV He-Ionen in einem externen Magnetfeld parallel und antiparallel zur ursprünglichen Anisotropierichtung beschossen. Die durch den Beschuss erzielten Modifikationen des Exchange Bias Feldes verändern sich nach dem Beschuss unter bestimmten Bedingungen mit der Zeit. Diese Prozesse hängen u.a. von der Korngrößenverteilung in der polykristallinen antiferromagnetischen Schicht ab. Erste Ergebnisse zu dieser zeitlichen Veränderung werden vorgestellt und im Rahmen eines erweiterten Modells basierend auf dem Relaxationsmodell von Fulcomer und Charap erklärt.