Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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MA: Magnetismus
MA 13: Poster:Schichten(1-23),Spinabh.Trsp(24-41),Exch.Bias(42-56),Spindyn.(57-67),Mikromag.(68-76),Partikel(77-90),Spinelektr.(91-97),Elektr.Theo.(98-99),Mikromag+PhasÜ+Aniso.(100-105),Magn.Mat.(106-118),Messmethod.(119-121),Obflm.+Abbverf.(122-123)
MA 13.60: Poster
Dienstag, 9. März 2004, 15:00–19:00, Bereich A
Multiples Schaltverhalten von Nanoleiterbahnen komplexer Geometrie — •Mario Brands1, Britta Hausmanns2 und Günter Dumpich1 — 1Experimentalphysik, AG Farle, Institut für Physik, Fakultät IV, Universität Duisburg-Essen, Standort Duisburg, Lotharstrasse 1, 47048 Duisburg — 2AG Magnetismus, Fachbereich Physik, Technische Universität Kaiserslautern, Erwin-Schrödinger-Str. 56, 67663 Kaiserslautern
Es wurden Widerstandsmessungen an dünnen Kobalt-Leiterbahnen bei einer Temperatur von T = 4,2 K und in einem äußeren Magnetfeld von bis zu B = 4,5 T durchgeführt. Die Leiterbahnen wurden mittels eines Zwei-Schritt-Elektronenstrahllithografie (EBL)-Prozesses auf GaAs Substraten hergestellt und haben eine konstante Länge von l = 400 µ m wohingegen ihre Breite (w = 100 nm bis w = 2000 nm) und ihre Schichtdicke (t = 7 nm bis t = 32 nm) systematisch variiert wurde. Zum Schutz vor Oxidation wurden die Leiterbahnen in-situ mit einer t = 2 nm dicken Platinschicht abgedeckt. Der Magnetowiderstand (senkrecht, out-of-plane) ist negativ und kann im wesentlichen auf den Anisotropen Magnetowiderstand (AMR) zurückgeführt werden. In longitudinaler Geometrie werden bei geringen Magnetfeldern (Bsw ≈ 100 mT) charakteristische Peaks im Magnetowiderstand beobachtet, die den Ummagnetisierungsprozess einzelner Leiterbahnabschnitte charakterisieren. Auf der Basis dieser Ergebnisse wird das Auftreten von Domänenwandwiderstandsbeiträgen diskutiert.
Diese Arbeit wird gefördert von der DFG im Rahmen des SFB 491.