Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 14: Postersitzung (Adsorption an Oberflächen, Epitaxie und Wachstum, Organische Dünnschichten, Oxide und Isolatoren, Phasenübergänge, Rastersondentechniken, Struktur und Dynamik reiner Oberflächen)

O 14.27: Poster

Montag, 8. März 2004, 18:00–21:00, Bereich C

STM, ATR-IRAS und elektrochemische Untersuchungen von NbSe₂ und TaS₂-Elektroden in hexylaminhaltigen Elektrolytlösungen — •Ulrich Jung¹, Sujit Dora¹, Martha Poissot², Wolfgang Bensch² und Olaf Magnussen¹ — ¹Institut für experimentelle und Angewandte Physik, Christian-Albrechts-Universität, Leibnizstraße 19, 24118 Kiel — ²Institut für Anorganische Chemie, Christian-Albrechts-Universität, Olshausenstraße 40, 24098 Kiel

Übergangsmetalldichalkogenide stellen hochinteressante Modellsysteme für die Untersuchung elektrochemischer Interkalationsprozesse dar, da sich selbst große Moleküle in die van-der-Waals Lücken zwischen den Dichalkogenidschichten einlagern können. Solche elektrochemischen Adsorptions- und Interkalationsprozesse wurden am Beispiel von NbSe₂ und TaS₂ in hexylaminhaltigen Lösungen durch in-situ Rastertunnelmikroskopie (STM), in-situ Infrarotspektroskopie nach der Methode der verminderten Totalreflektion (ATR-IRAS) und zyklovoltammetrische Messungen untersucht. Dabei wurden sowohl einkristalline Proben als auch dünne, über ein Phasentransferverfahren präparierte Übergangsmetalldichalkogenidschichten auf Siliziumelektroden verwendet. Letztere erlauben erstmalig ATR-IRAS-Untersuchungen dieser Substanzklasse. Die erhaltenen Daten zur Struktur und Morphologie dieser Proben und zum Adsorptionsverhalten weisen auf potentialabhängige Interkalationsprozesse bei Potentialen negativ von -0.4 V gegen eine Ag/AgCl-Elektrode hin.