Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
O: Oberflächenphysik
O 14: Postersitzung (Adsorption an Oberflächen, Epitaxie und Wachstum, Organische Dünnschichten, Oxide und Isolatoren, Phasenübergänge, Rastersondentechniken, Struktur und Dynamik reiner Oberflächen)
O 14.29: Poster
Montag, 8. März 2004, 18:00–21:00, Bereich C
Eine Rastertunnelmikroskop-Anlage zum Studium des Wachstums Mn-dotierter III-V-Halbleiter — •Felix Marczinowski1, Jacques Dumont2, Jens Wiebe1, Markus Morgenstern1 und Roland Wiesendanger1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg — 2Facultes Universitaires Notre-Dame de la Paix, Namur
Mit dem Ziel, ferromagnetische III-V-Halbleiter für Rastertunnelspektroskopie (RTS) in-situ herzustellen, wurde eine UHV-Kammer mit einem Rastertunnelmikroskop (RTM) aufgebaut, welche Verdampfer für Mangan und Indium-Arsenid enthält, sowie eine Ionenkanone und eine LEED-/Auger-Einheit. Eine Substratheizung erlaubt das Aufdampfen bei Substrattemperaturen von bis zu 400∘C. Insbesondere sollen InxMn1−xAs-Schichten mit variablem Mn-Anteil auf InAs(110) deponiert werden und die Oberflächenmorphologie mittels RTM charakterisiert werden. Das Rastertunnelmikroskop wurde speziell für Wachstumsuntersuchungen konzipiert und ist Teil einer 300mK-UHV-RTM-Anlage, in der die RTS-Messungen durchgeführt werden.