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O: Oberflächenphysik

O 14: Postersitzung (Adsorption an Oberflächen, Epitaxie und Wachstum, Organische Dünnschichten, Oxide und Isolatoren, Phasenübergänge, Rastersondentechniken, Struktur und Dynamik reiner Oberflächen)

O 14.38: Poster

Montag, 8. März 2004, 18:00–21:00, Bereich C

Spot Profile Analysis-LEED and AFM Investigations of Ge/CaF₂/Si(111) Multilayers — •Eddy Patrick Rugeramigabo¹, Carsten Deiter¹, and Joachim Wollschläger² — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover — ²Institut für Angewandte und Physikalische Chemie, Universität Bremen, D-28359 Bremen

Nanoelectronic devices like resonant tunneling diodes offer very interesting features and quantum effects. Therefore it is necessary to fabricate high quality semiconductor insulator multilayers with few nanometer thick films.

We have investigated the growth and crystallization of thin Ge films (thickness 1-2 nm) deposited on CaF₂ at several temperatures between RT and by means of SPA-LEED (Spot Profile Analysis Low Energy Electron Diffraction) and AFM.