Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

O: Oberflächenphysik

O 14: Postersitzung (Adsorption an Oberflächen, Epitaxie und Wachstum, Organische Dünnschichten, Oxide und Isolatoren, Phasenübergänge, Rastersondentechniken, Struktur und Dynamik reiner Oberflächen)

O 14.42: Poster

Montag, 8. März 2004, 18:00–21:00, Bereich C

GIXRD and AFM Investigations of CaF₂/Si Multilayers — •Carsten Deiter¹, Andreas Gerdes¹, Eddy Patrick Rugeramigabo¹, Joachim Wollschläger², Cunrang Wang³, Bernd Müller³, and Karl Hofmann³ — ¹Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover, D-30167 Hannover — ²Institut für Angewandte und Physikalische Chemie, Universität Bremen, D-28359 Bremen — ³Institut für Halbleiterbauelemente und Werkstoffe, Universität Hannover, D-30167 Hannover

Semiconductor/insulator multilayers with few nanometer thick films offer the opportunity to fabricate nanoelectronic devices with very interesting features. Due to small lattice mismatch the system CaF₂/Si(111) is a good combination for growth of films with high morphological and electronical quality.

We have investigated Si/CaF₂/Si(111) structures by means of GIXRD and AFM. Si films (thickness 4nm) and clusters are deposited on CaF₂ (thickness 3nm) at temperatures between 800K and 1000K with and whithout deposition of additional Sb as a surfactant.