Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 25: Epitaxie und Wachstum II

O 25.7: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 17:15–17:30, H39

Elementspezifische Oberflächenrekonstruktion auf Inseln bei der surfactant-modifizierten Homoepitaxie auf Si(111):As,Sb — •K. Schroeder¹, A. Antons¹, B. Voigtländer², V. Cherepanov² und S. Blügel¹ — ¹Institut für Festkörperforschung, — ²Institut für Schichten und Grenzflächen, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich, Germany

Wir haben das frühe Stadium des surfactant(As, Sb)-modifizierten homoepitaktischen Wachstums auf Si(111) mit STM und ab initio Rechnungen untersucht. Die Ergebnisse zeigen ein unterschiedliches mikroskopisches Verhalten für die beiden surfactants: Auf der As-bedeckten Si(111)-Oberfläche findet man nur Inseln mit der Höhe einer Doppellage, die die (1×1) Terrassenstruktur zeigen. Auf Sb-bedecktem Si(111) zeigen die Inseln 2 verschiedene Oberflächenstrukturen. Am Rand der Inseln erscheint die (1×1)-Struktur, während in der Mitte die (√3×√3) Terrassenstruktur gefunden wird. Aus den Rechnungen ergibt sich, dass das Doppellagenwachstum auf Si(111):As (1×1) schon bei Si-Clustergrößen von 4 beginnt. Auf Si(111):Sb (1×1) sind Doppellagen energetisch instabil, während auf Si(111):Sb (√3×√3) eine große kinetische Barriere von 1 eV für die Nukleation neuer Sb-Trimere in der zweiten Lage das Doppellagenwachstum kinetisch unterdrückt.