Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 28: Postersitzung (Elektronische Struktur, Grenzfläche fest-flüssig, Halbleiteroberflächen und -grenzflächen, Magnetismus und Symposium SYXM, Methodisches, Nanostrukturen, Oberflächenreaktionen, Teilchen und Cluster, Zeitaufgelöste Spektroskopie)
O 28.21: Poster
Mittwoch, 10. März 2004, 16:00–19:00, Bereich C
Rauheit und Schädigung einer GaAs-Oberfläche nach dem chemisch unterstützten Ionenstrahlätzen mit Cl2/Ar+ — •Jens Dienelt, Klaus Zimmer, Justus von Sonntag und Bernd Rauschenbach — Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung (IOM), Permoserstr. 15, 04318 Leipzig
Die chemische und die physikalische Abtragskomponente während des chemisch unterstützten Ionenstrahlätzens (CAIBE) von GaAs mit Cl2/Ar+ bewirkt sehr unterschiedliche Einflüsse auf die Rauheit und die Schädigung des oberflächennahen Bereiches. Die Charakteristik der Einzelprozesse spiegelt sich direkt in der Oberflächenrauheit wieder. Der starke chemische Ätzangriff von Chlorgas auf die GaAs-Oberfläche zeigt eine ausgeprägte Anisotropie der Ätzprofilentwicklung, wobei die {111}-Ebenen durch deren geringe Ätzrate den Abtragsprozess maßgeblich beeinflussen. Neben der Temperatur oder dem Chlordruck hat demnach auch die Kristallorientierung einen großen Einfluss auf die Oberflächenrauheit. Beim reinen Zerstäubungsprozess ergeben sich aufgrund der Impuls- und Energieübertragung des gerichteten Ionenbeschusses die glattesten Oberflächen. Im Gegensatz zur geringen Oberflächenrauheit wird bei der Zerstäubung der oberflächennahe Bereich jedoch am stärksten geschädigt. Hierzu werden ortsaufgelöste Photolumineszenz-Untersuchungen an Mehrfach-Quantentrog-Strukturen aus Al0,35Ga0,65As/GaAs gezeigt, die unter Anwendung der Schrägschlifftechnik präpariert wurden.