Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 3: Nanostrukturen I

O 3.4: Vortrag

Montag, 8. März 2004, 12:00–12:15, H36

Wachstum und elektronische Struktur von Seltenerdsilizid-Nanodrähten auf Si(001)-Vizinalflächen — •C. Preinesberger¹, D.V. Vyalikh², S.L. Molodtsov², F. Schiller², G. Pruskil¹, C. Laubschat² und M. Dähne¹ — ¹Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin — ²Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Dresden

Das selbstorganisierte Wachstum von Seltenerdsilizid-Nanodrähten auf der planaren Si(001)-Oberfläche ist in den letzten Jahren intensiv untersucht worden [1,2]. Über die elektronischen Eigenschaften war allerdings bisher kaum etwas bekannt. Wir präsentieren hier erstmalig Ergebnisse zu den strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Dysprosiumsilizid-Nanodrähten auf einer Si(001)-Vizinalfläche. Mit Rastertunnelmikroskopie konnten wir das Wachstum von Nanodrähten mit einheitlicher Ausrichtung beobachten, im Gegensatz zu der Situation auf der planaren Oberfläche, auf der sich die Ausrichtung an Stufen um 90^∘ dreht. Untersuchungen mit winkelauflösender Photoemission zeigen deutlich einen entlang der Drahtrichtung stark dispergierenden Zustand, der die Fermienergie schneidet und somit metallischen Charakter hat. Senkrecht zu den Nanodrähten wird dagegen kaum Dispersion beobachtet, was auf eine starke Lokalisierung der Ladungsträger in den einzelnen Drähten hinweist.

[1] C. Preinesberger, S. Vandré, T. Kalka, and M. Dähne-Prietsch, J. Phys. D: Appl. Phys. 31, L43 (1998).

[2] C. Preinesberger, S.K. Becker, S. Vandré, T. Kalka, and M. Dähne, J. Appl. Phys. 91, 1695 (2002).