Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 38: Adsorption an Oberflächen III

O 38.10: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 18:00–18:15, H38

Untersuchung der Adsorption von Chlor auf Si(113) — •J. I. Flege^1,2, Th. Schmidt², M. Siebert², G. Materlik³ und J. Falta² — ¹HASYLAB am DESY, Notkestr. 85, D-22603 Hamburg — ²Inst. f. Festkörperphysik, Universität Bremen, Postfach 330440, D-28334 Bremen — ³Rutherford Appleton Laboratory, Chilton, Oxfordshire OX11 0QX, UK

Aufgrund ihrer vielversprechenden Eigenschaften für die Halbleitertechnologie und die Nanostrukturierung selbstorganisierender Systeme stellt die Si(113)-Oberfläche ein attraktives Forschungsobjekt dar. Trotzdem sind ihre Wechselwirkung mit Halogenen, den grundlegenden Komponenten der Prozeßgase, und ihr Trockenätzverhalten bislang gänzlich unbekannt.

Wir präsentieren eine umfangreiche Studie des Adsorptionsverhaltens von Chlor auf Si(113) mit stehenden Röntgenwellenfeldern (XSW), Rastertunnelmikroskopie (STM) und Dichtefunktionaltheorie (DFT). Nach Bedampfen bei einer Substrattemperatur von 600^∘C ist ein Charakteristikum dieses Systems die gleichzeitige Existenz von (2×n)-rekonstruierten Phasen, die im STM-Bild als Formierung von Reihen mit 2-facher Periodizität in [110]-Richtung nachgewiesen werden können. Dies induziert eine deutliche Vorzugsrichtung der nunmehr glatten Stufenkanten in derselben Richtung. XSW-Untersuchungen für verschiedene Cl-Bedeckungen zeigen, daß die einzelnen (2×n)-Domänen aus der lokalen, periodischen Anordnung nur weniger Adsorptionsplätze aufgebaut sind. Strukturmodelle aus ab initio-DFT-Berechnungen werden mit den XSW-Ergebnissen verglichen und diskutiert.