Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 40: Halbleiteroberflächen und -grenzflächen
O 40.1: Vortrag
Donnerstag, 11. März 2004, 15:45–16:00, H45
Optische Charakterisierung ultradünner Siliziumoxid-Filme mit der Brewster-Winkel Analyse (BWA) — •Michael Lublow und H. J. Lewerenz — Hahn-Meitner-Institut Berlin Abteilung Solare Energetik (SE5) Glienicker Str. 100 14109 Berlin
Die optische Charakterisierung ultradünner Filme mit Schichtdicken d < 8 nm wird durch den Einfluß rauher Grenzflächen erschwert: die ermittelten Werte weichen von denen anderer oberflächensensitiver Methoden wie Auger Elektronenspektroskopie oder Photoelektronenspektroskopie ab. Für das natürliche Oxid auf Si(111) wird die Oberflächeninformation mittels dynamischer Anpassung des Einfallswinkels durch eine symmetrische Messung des Reflektivitätssignals um den Brewster-Winkel des SiOx/Si-Systems herum erfaßt. Charakteristische Unterschiede gegenüber phasenoptimierter Ellipsometrie werden für naßchemische Ätzungen des Oxids untersucht. Es wird gezeigt, daß die BWA die einzelnen Stufen der Oxidabtragung sowie die anschließende Rauhigkeitszunahme optisch trennt. Demgegenüber erweist sich selbst die phasenoptimierte Ellipsometrie als unempfindlicher. Die größere Empfindlichkeit der BWA gegenüber Spurrauhigkeiten wird anhand von AFM Messungen diskutiert.