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O: Oberflächenphysik

O 40: Halbleiteroberflächen und -grenzflächen

O 40.8: Vortrag

Donnerstag, 11. März 2004, 17:30–17:45, H45

Einfluss photoinduzierter Effekte auf die Photoemissionsspektren gesputterter ZnO-Schichten auf Si(111)-H — •Henning Wolf, Ulrich Meier, Tilo Plake und Christian Pettenkofer — Hahn-Meitner-Institut Berlin, Glienicker Strasse 100, 14109 Berlin

Durch Magnetronsputtern abgeschiedenes ZnO enthält H-Konzentra- tionen bis zu 10²¹cm⁻³ im Volumenmaterial. Tempern in Sauerstoffatmosphäre bei 400^∘C reduziert den Anteil des Wasserstoffs um etwa 2 Grössenordnungen. Bei der Untersuchung gesputterter ZnO-Schichten auf Si(111)-H mittels Photoelektronenspektroskopie (UPS/XPS) ist ein Einfluss photoinduzierter Effekte auf die Intensität und energetische Lage der Linien in den Spektren zu beobachten. Diese Veränderungen sind nicht abängig von der Energie des anregenden Lichtes, jedoch von der Intensität und der Bestrahlungsdauer. Wir diskutieren die Effekte anhand von Diffusionsprozessen des Sauerstoffs aus dem Volumenmaterial sowie des auf der Probenoberfläche und in den Korngrenzen in Form von Hydroxid enthaltenen Wasserstoffs. Im Ergebnis stellen wir ein Modell vor, das die Photolyse von Oberflächenhydroxid einerseits und von ZnO bzw. Volumen-Zn(OH)_x andererseits berücksichtigt.