Regensburg 2004 – scientific programme
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O: Oberflächenphysik
O 5: Epitaxie und Wachstum I
O 5.8: Talk
Monday, March 8, 2004, 13:00–13:15, H44
Vergleich der ab-initio berechneten elektronischen Struktur verschiedener Stapelfolgen von Co (0001) — •Lilli Sacharow1, Stefan Heinze1, Gustav Bihlmayer2, Stefan Blügel2, Jens Wiebe1, Markus Morgenstern1 und Roland Wiesendanger1 — 1Institut für Angewandte Physik, Universität Hamburg, Jungiusstrasse 11, D-20355 Hamburg; — 2Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich, D-52425 Jülich
In dieser Arbeit wurden DFT-LDA Berechnungen der elektronischen Struktur eines 11-Lagen Co-Films in verschiedener Stapelfolge durchgeführt. Insbesondere wurden im Hinblick auf Rastertunnelspektroskopie-Messungen der reine hcp-Film (...ABAB) und der hcp-Film mit einem Stapelfehler an der Oberfläche (...ABAC) untersucht. Die Zustandsdichte im Vakuum, bei Abständen zur Oberfläche unter 5 Å, ist in beiden Fällen dominiert von einem Minoritätspeak 0.6 eV unterhalb der Fermikante. Bei der Oberfläche mit stapelfehler ist dieser ca. 20% grösser als bei reinem hcp-Film. Die Verteilung der Zustände in der Brillouin Zone zeigt, dass er hauptsächlich von einem Bandminimum zwischen Γ-Punkt und dem Brillouinzonenrand getragen wird, während der Γ-Punkt selbst nur mit ca 5% beiträgt.