O 5: Epitaxie und Wachstum I
Montag, 8. März 2004, 11:15–13:15, H44
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11:15 |
O 5.1 |
Growth dynamics of Ge islands on high index Si surfaces — •Marcel Himmerlich, Woochul Yang, Robert J. Nemanich, and Juergen A. Schaefer
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11:30 |
O 5.2 |
Nucleation in the presence of adatom insertion: Co/Pt(111) — •Philipp Buluschek, Stefano Rusponi, Mehdi El Ouali, Emmanuel Vargoz, Klaus Kern, and Harald Brune
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11:45 |
O 5.3 |
Untersuchungen des Wachstums von Mn-Filmen auf Si(100) — •Holger Lippitz, Kai Schwinge, Jens J. Paggel und Paul Fumagalli
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12:00 |
O 5.4 |
Hochempfindliche Messung von Oberflächenverspannung — •Peter Kury, Peter Kury, Michael Horn-von Hoegen und Michael Horn-von Hoegen
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12:15 |
O 5.5 |
Growth of Vanadiumoxide and Niobiumoxide on Cu3Au(100) — •Jürgen Middeke, Ralf-Peter Blum, and Horst Niehus
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12:30 |
O 5.6 |
Growth of a GaSe half-sheet on Si(111) — •Bengt Jaeckel, Rainer Fritsche, Andreas Klein, and Wolfram Jaegermann
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12:45 |
O 5.7 |
STM Studies of ultrathin SixGe1−x films grown on Si(111) by Chemical Vapour Deposition — •Selvi Gopalakrishnan, H. Rauscher, and R.J. Behm
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13:00 |
O 5.8 |
Vergleich der ab-initio berechneten elektronischen Struktur verschiedener Stapelfolgen von Co (0001) — •Lilli Sacharow, Stefan Heinze, Gustav Bihlmayer, Stefan Blügel, Jens Wiebe, Markus Morgenstern und Roland Wiesendanger
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