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TT: Tiefe Temperaturen

TT 11: Nanoelektronik I: Quantenpunkte, -dr
ähte, -punktkontakte

TT 11.12: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 12:15–12:30, H19

Schwache Lokalisierung und erhöhte Elektron-Elektron Wechselwirkung in nanostrukturierten magnetischen Leiterbahnen — •Mario Brands, Axel Carl und Günter Dumpich — Experimentalphysik, AG Farle, Institut für Physik, Fakultät IV, Universität Duisburg-Essen, Standort Duisburg, Lotharstrasse 1, 47048 Duisburg

Es wurden Widerstandsmessungen an dünnen Kobalt-Leiterbahnen in Abhängigkeit der Temperatur (T = 1,5 K bis T = 30 K) und eines senkrecht zur Leiterbahn angelegten Magnetfeldes (bis B = 4,5 T) durchgeführt. Die Leiterbahnen wurden mittels eines Drei-Schritt-Elektronenstrahllithografie (EBL)-Prozesses auf GaAs Substraten hergestellt und haben eine konstante Länge von l = 400 µ m wohingegen ihre Breite (w = 100 nm bis w = 2000 nm) und ihre Schichtdicke (t = 7 nm bis t = 32 nm) systematisch variiert wurde. Zum Schutz vor Oxidation wurden die Leiterbahnen mit verschiedenen Abdeckschichten versehen. Der Magnetowiderstand ist negativ und kann im wesentlichen auf den Anisotropen Magnetowiderstand (AMR) zurückgeführt werden. In der Temperaturabhängigkeit des Widerstands zeigt sich zu tiefen Temperaturen hin der charakteristische logarithmische Widerstandsanstieg, aus dessen Steigung in Abhängigkeit des äußeren Magnetfeldes die respektiven Anteile resultierend aus Schwacher Lokalisierung (WEL) und Elektron-Elektron Wechselwirkung (EEI) bestimmt werden können. Diese Arbeit wird gefördert von der DFG im Rahmen des SFB 491.