Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

TT: Tiefe Temperaturen

TT 12: Supraleitung: Anwendungen, Materialien, technische Supraleiter, Bauelemente

TT 12.1: Vortrag

Dienstag, 9. März 2004, 14:30–14:45, H20

Chemisch unterstützte Oberflächenepitaxie: Orientiertes (001) NiO, Puffer und YBCO Wachstum auf Ni 5at%W RABiTS — •Andreas Heinrich, Bernhard Woerz und Bernd Stritzker — Unversität Augsburg, Experimentalphysik IV

Für die Deposition von YBCO auf metallische Substrate sind Pufferschichten notwendig. Verwendet man oxidische Puffer kommt es bei der Deposition auf Ni zu einer unerwünschten (111) NiO Bildung. Durch eine Voroxidation des Ni-Bandes bei hohen Temperaturen (ca. 1200C / Surface Oxidation Epitaxie / SOE) kann dies vermieden werden. Dabei bildet sich die erwünschte (001) NiO Orientierung aus. Diese Methode ist praktikabel im Falle von NiCr od. NiV Legierungen. Werden hochlegierte NiW Verbindungen (ab 3%W) verwendet, bildet sich keine (001)NiO-Schicht. Wir haben ein Verfahren entwickelt, mit der ein (001)NiO Wachstum während der SOE bei tiefen Temperaturen (350C) auf NiW möglich ist. Damit kann eine (001) NiO Schicht während des Heizvorganges zur Pufferdepositionstemperatur erzeugt werden. Es wird über den Einfluss der chemischen Vorbehandlung und der SOE auf das Ni berichtet. Ausserdem wird gezeigt, dass (001)NiO/La0.7Ca0.3MnO3/YBCO biaxial texturiert auf Ni5W wächst.