Regensburg 2004 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 30: Postersitzung IV: Kritische Ph
änomene, Quantenstörstellen, niederdimensionale Systeme
TT 30.24: Poster
Donnerstag, 11. März 2004, 14:30–19:00, Poster A
Elektronischer Transport in dünnen Goldfilmen auf Si (111) — •Svenja Klages1, Christoph Sürgers1 und Hilbert v. Löhneysen1,2 — 1Physikalisches Institut und DFG Center for Functional Nanostructures (CFN), Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe — 2Forschungszentrum Karlsruhe, Institut für Festkörperphysik, D-76021 Karlsruhe
Wir untersuchen den elektronischen Transport in dünnen Goldfilmen auf Si(111). Dazu werden bei Raumtemperatur 1-5 Monolagen (ML) Au auf die rekonstruierte Si(111)-7x7-Oberfläche im UHV aufgedampft und mittels Rastertunnelmikroskopie charakterisiert. Der elektronische Transport wird durch in-situ-Messungen des elektrischen Widerstands R im Temperaturbereich T=3−300 K untersucht. Unterhalb 30 K wird R durch den Beitrag des Goldfilms dominiert wobei R mit zunehmender Schichtdicke abnimmt. In diesem Bereich wird R(T) durch Effekte der schwachen Lokalisierung bestimmt. Für T>30 K überwiegt der Beitrag des Si-Substrats. Eine Schicht mit 5 ML zeigt nach kurzzeitigem Tempern im UHV bei 600 ∘C eine Rekonstruktion der Oberfläche, deren Symmetrie möglicherweise durch die Si(111)-7x7-Rekonstruktion des Substrats bestimmt wird. Für diese Schicht zeigt R(T) ein Verhalten ähnlich einem reinen Si(111) Substrat. Mögliche Ursachen wie Si-Au-Legierungsbildung werden diskutiert.