Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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A: Atomphysik

A 12: Precision Spectroscopy of Atoms and Molecules III

A 12.4: Fachvortrag

Dienstag, 8. März 2005, 11:30–11:45, HU 3075

Absolute Bestimmung der Wirkungsquerschnitte der resonanten Raman Streuung an Silizium — •Matthias Müller¹, Birgit Kanngießer², Burkhard Beckhoff¹ und Gerhard Ulm¹ — ¹Physikalisch-Technische Bundesanstalt, Abbestraße 2-12, 10587 Berlin, Germany — ²Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin

Inelastische Streuung von Röntgenstrahlung an gebundenen Elektronen weist Resonanzen bei den Energien der einfallenden Strahlung auf, die den Bindungsenergien der tiefer gebundenen Elektronen des Atoms entsprechen. Diese sogenannte Resonante Raman Streuung (RRS) wird von der Kramers-Heisenberg Formel als einstufiger Prozess beschrieben. Wir bestimmten die absoluten totalen und die doppelt differentiellen Wirkungsquerschnitte der RRS für monochromatische, linear polarisierte Strahlung an Silizium 2p-Elektronen für verschiedene Photonenenergien nahe der Silizium K-Absorptionskante. Diese Messungen wurden unter Nutzung absolut kalibrierter Detektoren im Radiometrielabor der PTB bei BESSY II durchgeführt.