Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 16: Dünnschichtanalytik III
DS 16.4: Vortrag
Montag, 7. März 2005, 11:30–11:45, TU HS110
Untersuchung der Anreicherung von Germanium in heliumimplantierten SiGe/Si-Heterostrukturen durch Oxidation — •N Hueging1, M Luysberg1, D Buca2, B Holländer2, S Mantl2, R Loo3, M Caymax3 und K Urban1 — 1Institut für Festkörperforschung IFF, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 2Institut für Schichten und Grenzflächen ISG, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich — 3IMEC, Leuven, Belgium
Eine Möglichkeit die Leistungsfähigkeit siliziumbasierter Bauelemente zu erhöhen ist die Verwendung von verspanntem Silizium. Ein Weg diese verspannten Schichten zu erzeugen ist die Nutzung von relaxierten SiGe Schichten auf Si-Substrat, die im sogenannten "Jülicher Prozess" durch Heliumimplantation und thermische Behandlung hergestellt werden. Die Nutzung von Schichtsystemen mit hohen Germaniumgehalten (> 20 %) kann Bildung von Stapelfehlern führen während der thermischen Behandlung führen.
Gegenstand dieser Untersuchung ist die Untersuchung von Germaniumsilizium/Silizium Schichtsystemen mit Schichtdicken von 100 - 400 nm und Germaniumgehalten unter 30 %, die nach Heliumimplantation und thermischer Behandlung bei 850 ∘C einem zusätzlichen thermischen Oxidationsschritt bei 950 ∘C unterzogen werden. Die so induzierte Anreicherung von Germanium nahe der Oberfläche wird in Abhängigkeit der Schichttiefe gemessen. Der Einfluß der zusätzlichen Oxidation auf die Mikrostruktur wird mittels der Elektronenmikroskopie untersucht, insbesondere in Hinblick auf eine Verbesserung, z.B. der Stapelfehlerdichte, im Vergleich zu konventionell hergestellten Proben.