Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 18: Optische Spektroskopie dünner Schichten I
DS 18.6: Vortrag
Montag, 7. März 2005, 16:30–16:45, TU HS110
In-situ Untersuchungen von Wachstumsparametereinflüssen auf die MOVPE von GaN — •H. Hardtdegen1, R. Steins1, N. Kaluza1, Z. Sofer1, Y.S. Cho1, M. Zorn2, K. Haberland3 und J.-T. Zettler3 — 1Institut für Schichten und Grenzflächen, Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich — 2Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Str. 4, 12489 Berlin — 3LayTec Gesellschaft für in-situ und Nanosensorik mbH, Helmholtzstr. 13-14, 10587 Berlin
Die in-situ Reflektometrie ist eine etablierte Methode, um die Morphologieentwicklung und den Einfluss der Wachstumsparameter bei der Epitaxie von Gruppe III-Nitriden zu beobachten. Seit kurzem ist es zusätzlich möglich, die absolute Oberflächentemperatur transparenter Substrate mittels emissivitätskorrigierter Pyrometrie zu bestimmen. Die Temperaturabhängigkeit der SiC Bandlücke wird dabei zur Kalibrierung eingesetzt. In diesem Beitrag wird die neue Methode vorgestellt, der nunmehr beobachtbare Einfluss der Wachstumsparameter auf die absolute Oberflächentemperatur bestimmt, sowie die Auswirkungen auf die Epitaxie diskutiert.