Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: Elektrische und optische Schichteigenschaften

DS 2.4: Vortrag

Freitag, 4. März 2005, 11:30–11:45, TU HS107

Elektromigration in (Nano)- Leiterbahnen mit Engstellen und Inseln — •Burkhard Stahlmecke und Günter Dumpich — Experimentalphysik, AG Farle, Universität Duisburg-Essen (Standort Duisburg), Lotharstrasse 1, 47057 Duisburg

Das Elektromigrationsverhalten von Gold-Nanoleiterbahnen mit vorgegebenen Engstellen und kreisförmigen Aussparungen wurde in-situ in einem hochauflösenden Rasterelektronenmikroskop (HRSEM) untersucht. Desweiteren wurden mit Goldstreifen beziehungsweise Inseln bedeckte Platinleiterbahnen hergestellt, um zu untersuchen, ob Elektromigration an den Goldstrukturen auftritt. Die Herstellung der Nanoleiterbahnen erfolgte mittels Elektronenstrahllithographie (EBL). Die Untersuchungen an Goldleiterbahnen (Länge l = 10 µm, Breite b = 1 µm, Schichtdicke t = 30 nm) mit Engstellen von 500 nm zeigen, dass Voidbildung vermehrt vor der Engstelle / Aussparung stattfindet. Dagegen bilden sich die zugehörigen Hillocks unmittelbar in der Engstelle, d.h. überraschenderweise im Gebiet mit höchster Stromdichte.

Gefördert durch die DFG im Rahmen des SFB 616.