Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 23: Postersitzung I

DS 23.25: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:00–18:30, Poster TU B

Ionenimplantation beim reaktiven Sputtern — •Daniel Severin¹, Matthias Wuttig¹, Oliver Kappertz², Tomas Nyberg² und Soren Berg² — ¹1. Physikalisches Institut 1a, RWTH-Aachen, Deutschland — ²Angstrom laboratory, Uppsala university, Sweden

Beim reaktiven Sputtern können viele Sputterparameter wie z.B. die Depositionsrate, die Schichtstöchiometrie und die Hysterese mit dem phänomenologischen Bergmodell sehr gut erklärt werden. Ein zentraler Parameter dieses Modells ist der Anteil der Targetoberfläche, der mit dem Reaktivgas reagiert ist. Dabei kommt es im Rahmen des Modells zu einer Chemiesorption der Reaktivgasmoleküle. Unsere Ergebnisse zum reaktiven Sputtern von verschiedenen metallischen Targets, unter anderem Hf, Ti, und W, zeigen jedoch zum Teil eine deutliche Abweichung von diesem klassischen Bergmodell. Dieses erklären wir mit einer Implantation von Reaktivgasionen unter die Targetoberfläche. Eine Erweiterung des Bergmodells, welche diese Implantation berücksichtigt, liefert eine gute Übereinstimmung mit den gefundenen Ergebnissen, wie z.B. der Sputterrate. Dabei ist der Einfluß der Ionenimplantation größer, wenn das Targetmaterial weniger reaktiv ist.