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DS: Dünne Schichten

DS 24: Postersitzung II

DS 24.21: Poster

Dienstag, 8. März 2005, 17:00–19:00, Poster TU B

Laserablation von Cu₂Ta₄O₁₂-Filmen — •Robert Lux¹, Andreas Heinrich¹, Bernd Stritzker¹, Bernd Renner², Stefan Ebbinghaus² und Armin Reller² — ¹Institut für Physik, Experimentalphysik IV, Universität Augsburg, 86135 Augsburg — ²Lehrstuhl für Festkörperchemie, Universität Augsburg, 86135 Augsburg

Materialien mit einer hohen Dielektrizitätskonstante erlauben Bauelemente mit kleineren Kapazitäten. An diesen besteht speziell im Bereich der mikroelektronischen Geräte ein hohes Interesse. In möglicher Kandidat für eine hohe Dielektrizitätszahl ist Cu₂Ta₄O₁₂ (CTaO). Aus diesem Grund wurden dünne Schichten von CTaO -in Koexistenz mit Ta₂O₅- mittels gepulster Laserablation auf Si(100) Substraten abgeschieden. Es zeigte sich, dass sowohl die kristalline Struktur, als auch die Oberflächenmorphologie der CTaO-Filme stark von Substrattemperatur, Sauerstoffdruck und Target-Substrat-Abstand abhängen. Des weiteren wurde festgestellt, dass sich vor dem eigentlichen Wachstum vom CTaO eine Ta₂O₅-Schicht bildet, auf der das CTaO in verschiedenen Orientierungen aufwächst. Wir berichten über Details der Filmdeposition und der Analyse der Filmeigenschaften mittels Rasterelektronenmikroskopie, Transmissionselektronenmikroskopie, Enegiedispersiver Röntgenanalyse und Röntgenbeugung.