Berlin 2005 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 6: Anwendung dünner Schichten

DS 6.1: Invited Talk

Friday, March 4, 2005, 14:00–14:45, TU HS110

Strukturierung von dünnen Schichtsystemen auf EUV Photolithograpiemasken — •Jan Hendrik Peters — AMTC, 01109 Dresden, Rähnitzer Alle 9

Aussichtsreichster Kandidat in der Halbleiterindustrie für die Erzeugung von Chipstrukturen von 45 nm und darunter ist die EUV Lithographie. Bei einer Wellenlänge von 13.5 nm sind die herkömmlich verwendeten Maskenmaterialien nicht mehr transparent, so dass für EUV Photolithographiemasken auf neue Materialien ausgewichen werden muss. Hauptelement der Masken ist ein Multilagenspiegel von rund 280 nm Dicke aus 40 Doppellagen Mo und Si, welche die unter 6 Grad einfallende EUV Strahlung zu gut 65% reflektiert. Darüber werden weitere Schichten abgeschieden, die dem Schutz der Multilagen während der Nutzung (Capping Layer) bzw. während der Reparatur der Masken (Buffer Layer) dienen, sowie die eigentliche strukturgebende Schicht der Maske (Absorber Layer). Die Materialzusammensetzung und Dicken der Schichten werden durch die im Lithographieprozess benötigten optischen Eigenschaften der Maske bei 13.5 nm bestimmt, sowie durch die im Maskenherstellungsprozess verwendeten Strukturierungs-, Reparatur-, Reinigungs- und Messverfahren. In diesem Vortrag wird über die Verfahren zur Strukturierung von EUV Masken unter kommerziellen Rahmenbedingungen berichtet. Dabei wird nicht nur auf den Einfluss der Ätzverfahren auf die zu erreichenden Strukturgrößen und deren Uniformität über die Fläche der Maske eingegangen, sondern auch auf die Probleme beim Nachweis dieser Größen.