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Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 8: Ionen-Festkörper-Wechselwirkung I

Samstag, 5. März 2005, 15:15–17:00, TU HS107

15:15 DS 8.1 MD simulations of thermally induced and ion beam induced solid-phase crystallization in silicon — •Konrad Gärtner and Brigitte Weber
15:30 DS 8.2 Experimental evidence for a glass transition in amorphous silicon — •André Hedler, Siegfried Klaumünzer, and Werner Wesch
15:45 DS 8.3 Rapid amorphisation and damage annealing in InGaAs at temperatures between 15 K and 300 K — •Werner Wesch, Elke Wendler, and Mark C. Ridgway
16:00 DS 8.4 Effect of ion irradiation on Au nanoparticles deposited onto Si substrates — •Andreas Klimmer, Masaki Ozawa, Anitha Ethirajan, Hans-Gerd Boyen und Paul Ziemann
16:15 DS 8.5 Ion-beam induced nanosized silver metal clusters in glass — •H.-E. Mahnke, B. Schattat, V. Koteski und N. Novakovic
16:30 DS 8.6 Kinetik des Selbstorganisationsvorganges bei der Bildung von SiCx-Ausscheidungs-Arrays in C+-Ionen-implantiertem Silizium — •Frank Zirkelbach, Maik Häberlen, Jörg K.N. Lindner und Bernd Stritzker
16:45 DS 8.7 Herstellung von Silizium und Stickstoff dotierten a–C:H Schichten mittels PIII&D — •Florian Schwarz, Götz Thorwarth, Claus Hammerl, Marcus Kuhn und Bernd Stritzker
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