Berlin 2005 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 8: Ionen-Festkörper-Wechselwirkung I

DS 8.7: Talk

Saturday, March 5, 2005, 16:45–17:00, TU HS107

Herstellung von Silizium und Stickstoff dotierten a–C:H Schichten mittels PIII&D — •Florian Schwarz^1,2, Götz Thorwarth^1,2, Claus Hammerl², Marcus Kuhn² und Bernd Stritzker¹ — ¹Lehrstuhl für Experimentalphysik IV, UniversitätAugsburg, 86135 Augsburg — ²AxynTeC DünnschichttechnikGmbH, Am Mittleren Moos 48, 86167 Augsburg

Diamantähnlicher Kohlenstoff (DLC) in der wasserstoffhaltigen Variante (a–C:H) gelangt dank seiner guten mechanischen und chemischen Eigenschaften zunehmend zu industrieller Anwendung. Trotzdem sind zusätzliche, gezielt einstellbare Eigenschaften, wie elektrische Leitfähigkeit und geringe Benetzbarkeit wünschenswert.

Dazu wurden mittels der Plasma Immersions Ionenimplantation und Deposition (PIII&D) silizium- und stickstoffhaltige a–C:H Schichten hergestellt. Basierend auf den Ergebnissen der beiden Dotiervarianten
a–C:H:Si und a–C:H:N wurden die mögliche Realisierung von Nanokompositen aus Si₃N₄ in einer a–C:H Matrix untersucht. Die Analyse der Schichten umfasste sowohl RBS, XRD, TEM und Raman Spektroskopie, als auch Nanohärte-, Leitfähigkeits- und Kontaktwinkelmessungen.