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HL: Halbleiterphysik
HL 16: Poster Ia
HL 16.22: Poster
Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU E
Herstellung und Charakterisierung von vertikal geschichteten, niedrig-dimensionalen Ladungsträgersystemen — •C. Werner, D. Reuter und A.D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum
Wir haben durch einen kombinierten Wachstums- und Implantationsprozess vertikal geschichtete, niedrig-dimensionale Ladungsträgersysteme in einer Al0,33Ga0,67As/GaAs/Al0,33Ga0,67As/GaAs/Al0,33Ga0,67As-Quantentopfstruktur hergestellt. Dabei wird mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) zunächst ein Teil der Probe gewachsen und nach einem Ultrahochvakuum (UHV) Transfer in eine fokussierte Ionenstrahl (FIB) Anlage der Dotierstoff für das untere Ladungsträgersystem durch FIB eingebracht, bevor der Wafer nach UHV-Rücktransfer in der MBE-Anlage mit der Quantentopfstruktur fertig gestellt wird. Dies bietet - durch Wahl eines geschickten Implantationslayouts in Verbindung mit einer Strukturierung durch nasschemisches Ätzen - die Möglichkeit, die Ladungsträgersysteme getrennt zu kontaktieren. Bisher wurden zwei relativ weit voneinander entfernte Elektronengase erzeugt. Diese wurden zunächst getrennt vermessen und im Anschluss ihre Wechselwirkung untereinander untersucht.