Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.29: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Dotierelementabhängigkeit der Rauigkeit von elektronischen Grenzflächen in GaAs — •Sebastian Landrock, Nikos Jäger, Knut Urban und Philipp Ebert — IFF-IMF Forschungszentrum Jülich 52425 Jülich

Es wurden die Schichtdicke sowie die Rauigkeit und Korrelationslänge der elektronischen Grenzflächen von MBE gewachsenen GaAs-p-n-Schichtsystemen mittels Querschnitts-Rastertunnelmikroskopie untersucht. Für die p-dotierten Bereiche wurden zwei verschiedene Dotierelemente verwendet. Dabei zeigte sich, dass bei den mit Be dotierten Proben die Rauigkeit kleiner ist als bei einer C-dotierten Probe. Insbesondere ließ sich nur eine Komponente der Rauigkeit finden, welche durch die Abschirmung der geladenen Dotieratome hervorgerufen wird. Die zuvor gefundene Rauigkeitskomponente aufgrund einer Clusterung der C-Dotieratome liegt nicht in den Be dotierten Proben vor. Darüberhinaus sind die Be-dotierten Schichten -nicht jedoch die C-dotierten Schichten- deutlich verbreitert, was auf eine Diffusion der Be-Atome schließen lässt. Wir zeigen, dass die durch Diffusion bewirkte Aufreihung der Dotieratome an den Grenzflächen für die geringere Rauigkeit der p-n-Grenzflächen verantwortlich ist.