Berlin 2005 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.34: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Elektrische Transportmessungen in MeV dotierten Diamant-Substraten — •V.A. Tchernychev, T. Vogel und J. Meijer — Zentrale Einrichtung für Ionenstrahlen und Radionuklide, Ruhr-Universität Bochum

Um die Leitfähigkeit von IIa-Diamantsubstraten zu untersuchen, wurde Bor unter verschiedenen Implantationstemperaturen und Konzentrationen mit 2 MeV implantiert. Nach einem Ausheil- und Ätzprozess wurden an den Proben Hall Effekt- Messungen in einem Temperaturbereich von T=20-500^∘C zur Bestimmung der Ladungsträgerkonzentration und der Beweglichkeit durchgeführt. Die Proben mit Dotierungsgrößen von 10¹⁵/cm² zeigten insgesamt einen starken Abfall der Beweglichkeit bei niedrigen Temperaturen, obwohl das Leitfähigkeitsverhalten nur eine geringfügige Änderung zeigte. Als Ursache ist allgemein akzeptiert, dass der freie Ladungsträgerstrom in diesem Temperaturbereich durch Hopping ersetzt wird. Dieser parasitäre Strom zeigt offensichtlich keinen oder nur einen geringen Halleffekt. In der Literatur wird dieses Verhalten aber bislang kontrovers diskutiert; unklar scheint ebenfalls zu sein, ob und in welcher Form Hopping-Leitfähigkeit eine magnetische Induktion erzeugt. Dieser Beitrag soll das gefundene Transportverhalten verschiedener Diamantproben diskutieren und die Ergebnisse mit bekannten Modellvorstellungen vergleichen.