Berlin 2005 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.47: Poster

Friday, March 4, 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Deposition von Si- und Ho-Ionen in GaAs/Al_xGa_1−xAs Heterostrukturen mittels fokussierter Ionenimplantation — •Sinan Ünlübayir, Dirk Reuter, Alexander Melnikov und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

Durch Anlegen einer Gegenspannung an den Probentisch einer Anlage zur fokussierten Ionenimplantation (FIB) ist es möglich, eine Vielzahl von Ionensorten auf Energien von typ. 50 eV abzubremsen. Aufgrund der geringen Ionenenergie werden für den Depositionsprosses nur geringe Kristallschäden erwartet, da die Eindringtiefen theoretisch nur von der Größenordnung einer Monolage sind. Eine III/V-Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Anlage ist direkt mit der FIB-Anlage verbunden. Dies erlaubt es, den MBE-Prosses zu unterbrechen und durch diese Ionendeposition lokale Fremdatome einzubringen. Als Anwendungsbeispiel diskutieren wir die Deposition von Ho in das zweidimensionale Elektronensystem in einer GaAs/Al_xGa_1−xAs-Heterostruktur, Ho dotierten InAs Quantenpunkten sowie mittels Si-Deposition dotierten GaAs/Al_xGa_1−xAs-Heterostrukturen. Mittels Magnetotransportmessungen und Photolumineszenz wurde der Einfluß der eingebrachten Atome auf die elektrischen und optischen Eigenschaften untersucht.