Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 17: Poster Ib
HL 17.50: Poster
Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F
(InGa)As Laserbauelemente (1,2 µm) mit vergütetem Resonator — •Tobias Gühne1, Volker Gottschalch1, Gunnar Leibiger1, Helmut Herrnberger2, Jaro Kovač3, Jaro Kovač jr.4, Rüdiger Schmidt-Grund5 und Bernd Rheinländer5 — 1Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — 2Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig — 3Slowakische Technische Universität, Fakultät für Mikroelektronik, Ilkovicova 3, SK 81219 Bratislava — 4International Laser Center, Ilkovicova 3, SK 81219 Bratislava — 5Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, Linnéstraße 5, 04103 Leipzig
Die Darstellung und der Einfluss von a-Silizium- und Siliziumoxid-Schichten als Spiegel- und Antireflektionsschichten für Laserdioden (1,2 µm) wurde untersucht. Alle Laserstrukturen wurden mittels MOVPE auf (001)-GaAs gezüchtet. Das aktive Gebiet besteht aus einer Doppelquantengrabenstrukur von Ga0,63In0,37As, eingebettet in GaAs. Als Mantelschichten dienen zwei Al0,35Ga0,65As Schichten. Mittels PECVD wurden die Laserriegel auf den Spaltflächen vergütet. Auf einer Resonatorfläche wurde ein 5,5-facher Braggspiegel aus Silizium und Siliziumoxid abgeschieden. Durch diese Vergütung wird nahezu die gesamte Lichtintensität über die Frontfläche emittiert, welche ihrerseits mit einer SiOx-Schicht versehen in ihrer Reflektivität gemindert wurde. Die Auswirkungen auf den differentiellen Quantenwirkungsgrad, die Schwellstromdichte und die Strahlgüte wurden untersucht.