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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.51: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

MOVPE-Darstellung freistehender A^IIIB^V-Nanodrähte — •Jens Bauer¹, Volker Gottschalch¹, Helmut Herrnberger² und Gerald Wagner² — ¹Universität Leipzig, Institut für Anorganische Chemie, Linnéstraße 3, 04103 Leipzig — ²Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstr. 15, 04303 Leipzig

Halbleitende Nanostrukturen bilden die Grundlage für neuartige optoelektronische Bauelemente. Dabei nehmen freistehende Nanodrähte eine Hauptrolle ein, da Heterostrukturen integriert werden können und die Morphologie der Nanodrähte eine einfache Kontaktierung erlaubt. Im Bereich einiger Nanometer lassen sich Quanteneffekte ausnutzen. Im Beitrag werden die Arbeiten zur Darstellung freistehender A^IIIB^V-Nanodrähte mittels Metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) in einem „bottom-up“-Prozess vorgestellt. Die Grundzüge des Nanodrahtwachstums beruhen auf dem für Elementhalbleiter bekannten „vapor-liquid-solid“ (VLS)-Wachstumsprozess, der für A^IIIB^V-Halbleiter und die MOVPE einiger Modifikationen bedarf. Es werden Untersuchungen zur Substratpräparation mit Goldpartikeln vorgestellt und der Einfluss von Wachstumsparametern (Temperatur, Partialdrücke, Wachstumszeit) auf die Realstruktur diskutiert. Schließlich wird auf erste Ergebnisse zur physikalischen Charakterisierung der Nanodrähte eingangen.