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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.59: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Parasitäre Moden in GaN Doppelheterostruktur Laserdioden — •Holger Fischer¹, Ulrich T. Schwarz¹, Thomas Schödl¹, Markus Pindl¹, Georg Feicht¹, Michael Furitsch², Andreas Leber², Andreas Miler², Alfred Lell² und Volker Härle² — ¹Institut für Angewandte und Experimentelle Physik, Universitätsstr. 31, 93053 Regensburg, Germany — ²OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg, Germany

Wir untersuchen die Auswirkungen parasitärer Moden auf das Verstärkungsspektrum und auf das Fernfeld von (Al,In)GaN Laserdioden. Als Substratmaterial wird für diese Laserdioden entweder SiC oder GaN verwendet, das Substrat hat also gleichen oder höheren effektiven Brechungsindex als der Wellenleiter. Die Lasermode kann sich dadurch abhängig von der Wellenlänge ins Substrat ausbreiten. Im Verstärkungsspektrum beobachten wir deshalb Oszillationen der Verstärkung im Transparenzbereich der Diode. Auch die Auswirkungen auf das Fernfeld der Laserdioden haben wir durch Messungen untersucht. Wir können desweiteren durch Messungen des Nahfelds die parasitären Moden direkt nachweisen. Rechnungen nach der 1-dimensionalen Transfermatrixmethode zeigen gute Übereinstimmung zwischen Theorie und Experimenten. Ein besseres Verständnis der Entstehung und Auswirkungen der parasitären Moden soll dazu beitragen, die Laserstrukturen zu verbessern und die Ausbildung parasitärer Moden zu unterdrücken.