Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 17: Poster Ib

HL 17.8: Poster

Freitag, 4. März 2005, 16:30–19:00, Poster TU F

Wachstum und Charakterisierung zweidimensionaler ZnO:Al Nanoblätter und Nanowände durch Al2O3-unterstützte Carbothermale Verdampfung — •A. Rahm¹, G.W. Yang², M. Lorenz¹, Th. Nobis¹, J. Lenzner¹, G. Wagner³ und M. Grundmann¹ — ¹Universität Leipzig, Institut für Experimentelle Physik II, D-04103 Leipzig, Deutschland — ²State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Zhongshan University, Guangzhou 510275, P. R. China — ³Universität Leipzig, Institut für Mineralogie, Kristallographie und Materialwissenschaft, D-04103 Leipzig, Deutschland

Mit Hilfe eines Al2O3 unterstützten carbothermalen Verdampfungsprozesses wurden freistehende zweidimensionale ZnO Nanoblätter und honigwabenähnlich verbundene Nanowände zusammen mit Nanodrähten auf goldbedeckten a-Saphir bzw. GaN/Si(111) Substraten gewachsen. Röntgendiffraktionsmessungen haben ergeben, dass die ZnO(0001) und die ZnO(10-11) Orientierung bei den Nanoblättern vorherrschend sind. Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Elektronenverlustspektroskopie (EDX), sowie Rasterelektronenmikroskopie (SEM) wurden zur weiteren strukturellen Charakterisierung verwendet und wir beweisen damit, dass ein Vapor-Liquid-Solid (VLS) Wachstum stattfindet. Temperaturabhängige Kathodolumineszenzmessungen zeigen Donator-Akzeptor-Paar-Übergänge, sowie gebundene Excitonen mit einer Halbwertsbreite von 2.1 meV bei 10K.