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HL: Halbleiterphysik

HL 22: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 22.10: Vortrag

Samstag, 5. März 2005, 13:00–13:15, TU P-N201

Mikroskopische Lumineszenzeigenschaften von InGaN-MQWs auf Si(111) — •Stephan Tiefenau, Till Riemann, Jürgen Christen, Armin Dadgar und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, PF 4120, D-39016 Magdeburg

Wir stellen hoch-ortsaufgelöste Kathodolumineszenz (KL)-Untersuchungen an InGaN-Multiple Quantum Wells (MQWs) auf Si(111) vor, die Bedeutung als aktive Zone von Lichtemittern im UV- und sichtbaren Spektralbereich besitzen. Mikroskopische Fluktuationen der Quantenausbeute und des Indiumeinbaus werden dabei durch die Intensität bzw. Form lokaler KL-Spektren direkt abgebildet. Bei 800^∘C mittels MOVPE gewachsene MQWs zeigen ein Maximum der integralen Lumineszenz bei 440nm. Auf einer mikroskopischen Ortsskala unterhalb von 1µm gibt es jedoch lokale statistische Fluktuationen der spektralen Linienposition, und es treten relativ scharfe Linien (80meV) in Niederenergetischen bis jenseits von 500nm auf. Im Gegensatz dazu emittieren bei 840^∘C gewachsene MQWs zwei breite Lumineszenzlinien um 425nm und 470nm. Diese Linien treten auf einer Größenskala von 10µm räumlich komplementär auf und sind direkt mit der Oberflächenmorphologie korreliert. Der Einsatz von GaN, InGaN, oder InAlN als Barrierenmaterial sowie der Einfluss verschiedener Indium-Precursor wird diskutiert. Charakteristische Unterschiede zwischen den einzelnen QWs des MWQ werden durch die systematische Variation der QW-Anzahl herausgearbeitet.