Berlin 2005 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 22.4: Talk
Saturday, March 5, 2005, 11:30–11:45, TU P-N201
Lumineszenz von gewachsenen und geätzten GaN-Nanosäulen — •Nicolas Thillosen, Simone Montanari, Ralf Meijers, Raffella Calarco, Roger Steins, Nicoleta Kaluza, Hilde Hardtdegen und Hans Lüth — Institut für Schichten und Grenzflächen ISG1 und CNI - Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich
Im Vergleich zu GaN-Schichten auf Si(111)-Substraten, wurde beobachtet, dass eindimensional gewachsene GaN-Nanosäulen eine stärkere UV-Lumineszenz zeigen und, dass die Säulen relaxiert sind. In diesem Beitrag werden die Photolumineszenz-Eigenschaften von in der MBE auf Si(111) gewachsenen GaN-Nanosäulen verglichen mit Säulen, welche durch reaktives Ionenätzen aus GaN-Schichten präpariert wurden. Die Herstellung der Schichten erfolgte sowohl mit MBE auf Si(111) als mit MOVPE auf Saphir. Aus der energetischen Lage des Donator-gebundenen exzitonischen Übergangs EDBX konnte der Verspannungszustand bestimmt werden. Die Auswertungen ergeben, dass unabhängig vom ursprünglichen Verspannungszustand der GaN-Schichten und der Herstellungsmethoden der Säulen dieselbe Bandlücke gefunden wurde, die mit der des vollständig relaxierten GaN übereinstimmt.