Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 22.5: Vortrag
Samstag, 5. März 2005, 11:45–12:00, TU P-N201
Herstellung von c-AlxGa1−xN Epitaxieschichten mit hohem Al-Gehalt — •Stefan Potthast, Jörg Schörmann, Donat Josef As und Klaus Lischka — Universität Paderborn, Fakultät für Naturwissenschaften, Department Physik, Warburger Strasse 100, 33095 Paderborn
Die kubischen III-Nitride besitzen ein grosses Potential für die Realisierung optoelektronischer und elektronischer Bauelemente durch eine hohe Variabilität der Bandlücke und fehlende spontane und piezoelektrische Polarisation. Für die Herstellung von Bauelementen ist das Abscheiden von AlxGa1−xN Schichten mit vorher bestimmbarem Al-Gehalt von essentieller Bedeutung, da er in Multiquantentrogstruktren die Barrierenhöhe und damit die optischen Eigenschaften bestimmt. Dazu wurden AlxGa1−xN Schichten mit einem Al-Gehalt von x=0 bis x=0.52 mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie hergestellt. Anschließend wurden die strukturellen und optischen Eigenschaften mit Röntgendiffraktometrie und Kathodolumineszenz ermittelt. Es konnte gezeigt werden, dass der Haftkoeffizient von Ga expontentiell mit dem Al-Gehalt abnimmt, wenn das Verhältnis der Bindungsenergien berücksichtigt wird. Bei Anwendung dieses Modells auf das Al/Ga-Flußverhältnis lassen sich AlxGa1−xN Schichten mit x=0.52 herstellen, bei denen der Anteil der hexagonalen Phase unterhalb der Detektionsgrenze liegt.