Berlin 2005 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 22: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I
HL 22.6: Vortrag
Samstag, 5. März 2005, 12:00–12:15, TU P-N201
Kubische AlxGa1−xN/GaN Bragg Spiegel für den grünen Spektralbereich — •Jörg Schörmann, Alexander Pawlis, Stefan Potthast, Donat Josef As und Klaus Lischka — Universität Paderborn, Fakultät für Naturwissenschaften, Department Physik, Warburger Strasse 100, 33095 Paderborn
Kubische Gruppe III-Nitride sind vielversprechende Materialien für die Herstellung optoelektronischer Bauelemente wie z.B. Resonant Cavity Light Emitting Diodes (RCLED’s). Im Gegensatz zu den hexagonalen Materialien bilden sich in der kubischen Phase keine spontanen elektrischen Felder aus. Dies ist für die Realisierung niedrigdimensionaler Bauelemente von grosser Bedeutung. Bragg Reflektoren (DBR) sind wichtige Komponenten zur Realisierung von RCLED’s. Der Brechungsindexunterschied zwischen AlN, GaN und deren ternären Verbindung AlGaN ist sehr gering. Um hohe Reflektivitäten zu erreichen ist daher ein hoher Al-Gehalt oder eine grosse Anzahl von Spiegelpaaren notwendig. Kubische AlxGa1−xN/GaN Bragg Spiegel wurden mittels plasmaunterstützter Molekularstrahlepitaxie auf 3C-SiC (001) Substraten hergestellt. Die Schichtdicken eines 15,5-fach DBR wurden für eine Bragg-Wellenlänge von 510nm dimensioniert. Die strukturellen Eigenschaften wurden mittels Röntgendiffraktometrie und Rasterkraftmikroskopie bestimmt. Die experimentellen Ergebnisse der Reflexionsmessung zeigen unter Berücksichtigung der Rauhigkeit eine gute Übereinstimmung mit den berechneten Daten.