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HL: Halbleiterphysik

HL 22: GaN: Pr
äparation und Charakterisierung I

HL 22.8: Talk

Saturday, March 5, 2005, 12:30–12:45, TU P-N201

Einfluss von N₂ als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass — •Roger Steins, Hilde Hardtdegen, Nicoleta Kaluza, Martina v.d. Ahe, Zdenek Sofer und Yong Suk Cho — Center of Nanoelectronic Systems for Information Technology (CNI), Institut für Schichten und Grenzflächen, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

In der Literatur wird N₂ als Trägergas u.a. nachgesagt die Morphologie und die strukturellen Eigenschaften des GaN zu verschlechtern. Für die Anwendung in High Electron Mobility Transistoren bedarf es aber Oberflächen mit geringer Rauhigkeit und ausgezeichneter struktureller Qualität. In diesem Beitrag wurde der Einfluss von N₂ auf das Wachstum und die Schichteigenschaften systematisch untersucht. In einem AIX 200/4 RF-S Reaktor wurden Versuche bei verschiedenen Trägergasmischungen von H₂ und N₂ in der Hochtemperaturphase durchgeführt. Nukleation und Rekristallisation fanden in reiner Wasserstoffatmosphäre statt. Dabei musste sowohl der Gesamtfluss auf das Trägergasgemisch hin optimiert, als auch das Flussverhältnis und das V/III Verhältnis in der Gasphase variiert werden. Es wird gezeigt, dass sich trotz großer Mengen N₂ im Trägergas Schichten hoher Qualität abscheiden lassen.