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10:45 |
HL 22.1 |
Rare earth implantation in GaN - an alternative route to develop integrated, all-nitride light-emitting devices — •Katharina Lorenz, U. Wahl, E. Alves, T. Wojtowicz , P. Ruterana, S. Dalmasso, E. Nogales, R.W. Martin, K.P. O‘Donnell, S. Ruffenach, and O. Briot
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11:00 |
HL 22.2 |
Formation of steps and vicinal surfaces on GaN (0001) surfaces: Implications on surface morphologies and surface roughening. — •Liverios Lymperakis and Jörg Neugebauer
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11:15 |
HL 22.3 |
Iron doped GaN as a potential material for spintronic devices — •Enno Malguth, A. Hoffmann, W. Gehlhoff, D. Azamat, O. Gelhausen, and M.R. Phillips
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11:30 |
HL 22.4 |
Lumineszenz von gewachsenen und geätzten GaN-Nanosäulen — •Nicolas Thillosen, Simone Montanari, Ralf Meijers, Raffella Calarco, Roger Steins, Nicoleta Kaluza, Hilde Hardtdegen und Hans Lüth
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11:45 |
HL 22.5 |
Herstellung von c-AlxGa1−xN Epitaxieschichten mit hohem Al-Gehalt — •Stefan Potthast, Jörg Schörmann, Donat Josef As und Klaus Lischka
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12:00 |
HL 22.6 |
Kubische AlxGa1−xN/GaN Bragg Spiegel für den grünen Spektralbereich — •Jörg Schörmann, Alexander Pawlis, Stefan Potthast, Donat Josef As und Klaus Lischka
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12:15 |
HL 22.7 |
The temperature dependence of the thermal expansion of GaN — •Claudia Roder, Sven Einfeldt, Stephan Figge, and Detlef Hommel
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12:30 |
HL 22.8 |
Einfluss von N2 als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass — •Roger Steins, Hilde Hardtdegen, Nicoleta Kaluza, Martina v.d. Ahe, Zdenek Sofer und Yong Suk Cho
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12:45 |
HL 22.9 |
Fermi level dependence of optical and magnetic properties in MOCVD-grown GaMnN — •Christoph Hums, M. Strassburg, M.H. Kane, A. Asghar, J. Senawiratne, M. Alevli, N. Dietz, C.J. Summers, I.T. Ferguson, and A. Hoffmann
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13:00 |
HL 22.10 |
Mikroskopische Lumineszenzeigenschaften von InGaN-MQWs auf Si(111) — •Stephan Tiefenau, Till Riemann, Jürgen Christen, Armin Dadgar und Alois Krost
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